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IPB048N06LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:4.4 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:24 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:25 ns

系列:IPB048N06

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時間:98 ns

典型接通延遲時間:18 ns

零件號別名:IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IPB048N06LG	OptiMOSa?￠ Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification	INFINEON[Infineon Technologies AG]	417.53 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IPB048N06LG	OptiMOS?? Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	431.26 Kbytes	共10頁	IPD350N06LG,IPB050N06NG,IPD400N06NG,IPB065N06LG,IPD640N06LG,IPB070N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06NG,IPP80N04S2-04,IPB080N06NG	產(chǎn)品購買
IPB048N06LGATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	Infineon Technologies	375.16 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買