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IPB042N10N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導通電阻:4.2 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:14 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:59 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:48 ns

典型接通延遲時間:27 ns

零件號別名:IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GXT SP000446880

IPB042N10N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3G	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	532.15 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3G	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	317.2 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3G	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	350.45 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GATMA1	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	929.56 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：100A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 150uA 漏源導通電阻：4.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	976.52 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK	Infineon Technologies	976.52 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPB042N10N3GE818XT	MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2	Infineon Technologies	929.56 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買

IPB042N10N3G相關型號PDF文件資料

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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)

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