制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標:Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.4 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs
2178
-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:130 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:167 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-7
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single Quint Source
下降時間:16 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:135 S, 68 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:161 ns
系列:IPB034N06
工廠包裝數(shù)量:1000
典型關(guān)閉延遲時間:63 ns
典型接通延遲時間:38 ns
零件號別名:IPB034N06N3GATMA1