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IPB034N06N3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.4 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs 2178 -柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:130 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-7

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quint Source

下降時間:16 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:135 S, 68 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:161 ns

系列:IPB034N06

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時間:63 ns

典型接通延遲時間:38 ns

零件號別名:IPB034N06N3GATMA1

介紹圖IPB034N06N3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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