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IPB027N10N5
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：2.7m?

IDpuls max：480.0A

VDS max：100.0V

ID max：120.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：0.6K/W

QG：112.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.36

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：250.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

Coss：1210.0pF

Ciss：7920.0pF

VGS(th) min max：2.2V 3.8V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPB027N10N5

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1191.1 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5	OptiMOS?a 5 Power-Transistor, 100 V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1008.06 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	244.28 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5_16	OptiMOS?a 5 Power-Transistor, 100 V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1008.06 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5ATMA1	MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2	Infineon Technologies	950.52 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB027N10N5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	Infineon Technologies	998.94 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買