制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.7 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:28 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:58 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:1000
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:84 ns
典型接通延遲時(shí)間:34 ns
零件號別名:IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GXT SP000506508
IPB027N10N3G
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| IPB027N10N3G | OptiMOS??3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 220.16 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| IPB027N10N3GATMA1 | 3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 536.65 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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