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IPB017N06N3G
規(guī)格信息：

Status：Active

包裝：7TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：60 V

最大連續(xù)漏極電流：180 A

RDS -于：1.7@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導(dǎo)通延遲時間：41 ns

典型上升時間：80 ns

典型關(guān)閉延遲時間：79 ns

典型下降時間：24 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

介紹圖IPB017N06N3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IPB017N06N3GATMA1MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)658.96 Kbytes共9頁IPB017N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB017N06N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB017N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)661.89 Kbytes共9頁IPB017N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB017N06N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB017N06N3GXTMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)658.96 Kbytes共9頁IPB017N06N3GXT的PDF文件地址 IPB017N06N3GXT的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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