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IPB011N04LG
規(guī)格信息：

包裝：8TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：40 V

最大連續(xù)漏極電流：180 A

RDS -于：1.1@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導通延遲時間：25 ns

典型上升時間：13 ns

典型關閉延遲時間：106 ns

典型下降時間：21 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標準包裝：Tape & Reel

介紹圖IPB011N04LG
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IPB011N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網501.61 Kbytes共9頁IPB011N04LGATMA1的PDF文件地址 IPB011N04LGATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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