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IPB015N04N
規(guī)格信息：

制造廠商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]

描述:Isc N-Channel MOSFET Transistor

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04N	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	299.07 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04N G	MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	671.35 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04N G		Infineon(英飛凌)	673.56 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04NG	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	343.92 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04NGATMA1	MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	671.35 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04NGATMA1	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3	Infineon Technologies	673.56 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04NGATMA1	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	Infineon Technologies	673.56 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB015N04NGATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 200uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 類(lèi)型：N溝道	Infineon(英飛凌)	673.56 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)