制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:140 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.3 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:214 W
封裝 / 箱體:TO-263-7
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single Quint Source
下降時(shí)間:23 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:90 ns
系列:IPB023N06
工廠包裝數(shù)量:1000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:62 ns
典型接通延遲時(shí)間:31 ns
零件號(hào)別名:IPB023N06N3GATMA1