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IPB021N06N3G
規(guī)格信息:

Series*

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

介紹圖IPB021N06N3G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPB021N06N3GOptiMOSa?¢3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網483.71 Kbytes共11頁IPB021N06N3G的PDF文件地址 IPB021N06N3G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB021N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1001.84 Kbytes共11頁IPB021N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB021N06N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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