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IPB026N06N PDF文件_規(guī)格信息

IPB026N06N
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:2.3 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:66 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.4 mm

長度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.25 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:80 S

下降時間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:17 ns

零件號別名:IPB026N06NATMA1 IPB26N6NXT SP000962142

單位重量:2 g

IPB026N06N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB026N06N	New OptiMOSa?￠ 40V and 60V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1021.74 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB026N06N	OptiMOSTM Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	606.43 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPB026N06N	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	243.51 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB026N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3	Infineon Technologies	600.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPB026N06NATMA1	MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2	Infineon Technologies	542.16 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPB026N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK	Infineon Technologies	600.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買

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