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IPB027N10N3
規(guī)格信息：

制造廠商:INFINEON[Infineon Technologies AG]

描述:3 Power-Transistor

介紹圖IPB027N10N3
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IPB027N10N33 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)536.65 Kbytes共9頁IPB027N10N3的PDF文件地址 IPB027N10N3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB027N10N3Isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)244.19 Kbytes共2頁IPB027N10N3的PDF文件地址 IPB027N10N3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB027N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)529.17 Kbytes共9頁IPB027N10N3 G的PDF文件地址 IPB027N10N3 G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB027N10N3 G連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 275uA 漏源導通電阻：2.7mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)531.9 Kbytes共9頁IPB027N10N3 G的PDF文件地址 IPB027N10N3 G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB027N10N3GOptiMOS??3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)220.16 Kbytes共9頁IPB027N10N3G的PDF文件地址 IPB027N10N3G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB027N10N3GATMA13 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)536.65 Kbytes共9頁IPB027N10N3GATMA1的PDF文件地址 IPB027N10N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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