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IPB031NE7N3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.1 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.1 V

Qg-柵極電荷:88 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

正向跨導(dǎo) - 最小值:150 S, 75 S

最小工作溫度:- 55 C

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

商標(biāo)名:OptiMOS

零件號別名:IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GXT SP000641730

介紹圖IPB031NE7N3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IPB031NE7N3GATMA1MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)532.99 Kbytes共9頁IPB031NE7N3GATMA1的PDF文件地址 IPB031NE7N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPB031NE7N3GATMA1MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)534.81 Kbytes共9頁IPB031NE7N3GATMA1的PDF文件地址 IPB031NE7N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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