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IPB031N08N5
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Id-連續(xù)漏極電流:120 A

Rds On-漏源導通電阻:2.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:87 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.4 mm

長度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.25 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:76 S

下降時間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:18 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:37 ns

典型接通延遲時間:18 ns

零件號別名:IPB031N08N5ATMA1 SP001227048

單位重量:2.240 g

介紹圖IPB031N08N5
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IPB031N08N5ATMA1MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.90 Mbytes共12頁IPB031N08N5ATMA1的PDF文件地址 IPB031N08N5ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB031N08N5ATMA1MOSFET N-CH 80V TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.13 Mbytes共12頁IPB031N08N5ATMA1的PDF文件地址 IPB031N08N5ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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