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IPB029N06N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:120 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:2.9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

封裝 / 箱體:TO-263-3

Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:20 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:120 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數量:1000

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:62 ns

典型接通延遲時間:35 ns

零件號別名:IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052

介紹圖IPB029N06N3G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPB029N06N3GOptiMOSa?￠3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網483.4 Kbytes共11頁IPB029N06N3G的PDF文件地址 IPB029N06N3G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB029N06N3GATMA1MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網997.23 Kbytes共11頁IPB029N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB029N06N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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