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IPB038N12N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:120 A

Vds-漏源極擊穿電壓:120 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.8 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Qg-柵極電荷:158 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

配置:Single

正向跨導(dǎo) - 最小值:165 S, 83 S

最小工作溫度:- 55 C

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

商標(biāo)名:OptiMOS

零件號(hào)別名:IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GXT SP000694160

IPB038N12N3G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	507.87 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3G	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	878.72 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3G	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	244.77 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3G_14	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	878.72 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3GATMA1	MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3	Infineon Technologies	873.5 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3GATMA1	MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	858.19 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPB038N12N3GATMA1	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK	Infineon Technologies	873.5 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買