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IPB036N12N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:180 A

Vds-漏源極擊穿電壓:120 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.6 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Qg-柵極電荷:158 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-7

封裝:Reel

配置:Single

正向跨導(dǎo) - 最小值:195 S, 98 S

最小工作溫度:- 55 C

系列:OptiMOS 3

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000

商標(biāo)名:OptiMOS

零件號(hào)別名:IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GXT SP000675204

IPB036N12N3G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB036N12N3G	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	243.06 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB036N12N3GATMA1	MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3	Infineon Technologies	631.76 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB036N12N3GATMA1	MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7	Infineon Technologies	633.10 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB036N12N3GATMA1	MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7	Infineon Technologies	633.10 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB036N12N3GATMA1		Infineon(英飛凌)	633.10 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)