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IPD65R420CFD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:8.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:420 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:32 nC

Pd-功率耗散:83.3 W

配置:Single

商標(biāo)名:CoolMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長(zhǎng)度:6.5 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時(shí)間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

零件號(hào)別名:IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R42CFDXT SP000891704

單位重量:4 g

介紹圖IPD65R420CFD
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IPD65R420CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.28 Mbytes共14頁(yè)IPD65R420CFDAATMA1的PDF文件地址 IPD65R420CFDAATMA1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD65R420CFDATMA1MOSFET LOW POWER_LEGACYInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.65 Mbytes共22頁(yè)IPD65R420CFDATMA1的PDF文件地址 IPD65R420CFDATMA1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IPD65R420CFDATMA2MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.65 Mbytes共22頁(yè)IPD65R420CFDATMA2的PDF文件地址 IPD65R420CFDATMA2的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IPD65R420CFDBTMA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)4.48 Mbytes共21頁(yè)IPD65R420CFDBTMA1的PDF文件地址 IPD65R420CFDBTMA1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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