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IPD60R450E6
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO252-3

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600V

Id-連續(xù)漏極電流:9.2A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:410mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:74W

高度:2.3mm

長度:6.5mm

系列:CoolMOSE6

晶體管類型:1N-Channel

寬度:6.22mm

Packing Type:TAPE & REEL

RDS (on) max:450.0m?

IDpuls max:26.0A

VDS max:600.0V

ID max:9.2A

Package:DPAK (TO-252)

Rth:1.7K/W

QG:28.0nC

Budgetary Price ?€/1k:0.5

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:74.0W

Polarity:N

Pin Count:3.0Pins

RthJA max:62.0K/W

Mounting:SMT

VGS(th) min max:2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPD60R450E6
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IPD60R450E6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1216.26 Kbytes共17頁IPD60R450E6的PDF文件地址 IPD60R450E6的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD60R450E6N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)335.75 Kbytes共2頁IPD60R450E6的PDF文件地址 IPD60R450E6的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD60R450E6ATMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.18 Mbytes共17頁IPD60R450E6ATMA1的PDF文件地址 IPD60R450E6ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD60R450E6ATMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.18 Mbytes共17頁IPD60R450E6ATMA1的PDF文件地址 IPD60R450E6ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD60R450E6ATMA1連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):9.2A(Tc) 漏源電壓(Vdss):600V 柵源極閾值電壓:3.5V @ 280uA 漏源導(dǎo)通電阻:450mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):74W(Tc) 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1.18 Mbytes共17頁IPD60R450E6ATMA1的PDF文件地址 IPD60R450E6ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD60R450E6BTMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.18 Mbytes共17頁IPD60R450E6BTMA1的PDF文件地址 IPD60R450E6BTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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