好看的玄幻小说,辰东

IPD60R360P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：360.0m?

IDpuls max：26.0A

VDS max：600.0V

ID max：9.0A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：3.04K/W

QG：13.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.49

Ptot max：41.0W

Polarity：N

Qgd：4.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPD60R360P7

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.56 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	912.0 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7ATMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.13 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3	Infineon Technologies	1.13 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7ATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 140uA 漏源導(dǎo)通電阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.75 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7S	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1106.42 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7S	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.56 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7SAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	920.43 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPD60R360P7SAUMA1	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3	Infineon Technologies	1017.42 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買