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IPD50R800CE
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO252-3

安裝風格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500V

Id-連續(xù)漏極電流:7.6A

Rds On-漏源導通電阻:720mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

Qg-柵極電荷:12.4nC

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:60W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

長度:6.5mm

系列:XPD50R800

晶體管類型:1N-Channel

寬度:6.22mm

下降時間:15.9ns

上升時間:5.5ns

典型關閉延遲時間:26ns

典型接通延遲時間:6.2ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:3

RDS (on) max:800.0m?

IDpuls max:15.5A

VDS max:500.0V

ID max:5.0A

Package:DPAK (TO-252)

Rth:3.15K/W

QG:12.4nC

Budgetary Price ?€/1k:0.19

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:40.0W

Polarity:N

Pin Count:3.0Pins

RthJA max:62.0K/W

Mounting:SMT

VGS(th) min max:2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPD50R800CE
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IPD50R800CE500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)879.43 Kbytes共20頁IPD50R800CE的PDF文件地址 IPD50R800CE的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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