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IPD50N06S3L-06
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓55 V

閘/源擊穿電壓+/- 16 V

漏極連續(xù)電流50 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）6 m Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 175 C

安裝風格SMD/SMT

封裝 / 箱體TO-252

封裝Reel

下降時間115 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散136 W

上升時間57 ns

典型關閉延遲時間75 ns

零件號別名IPD50N06S3L06XT

介紹圖IPD50N06S3L-06
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPD50N06S3L-06OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)163.79 Kbytes共9頁IPD50N06S3L-06的PDF文件地址 IPD50N06S3L-06的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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