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IPD50N04S3-08
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導通電阻:8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:68 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

系列:OptiMOS-T

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:6 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:16 ns

典型接通延遲時間:11 ns

零件號別名:IPD50N04S308ATMA1 IPD5N4S38XT SP000261218

單位重量:4 g

介紹圖IPD50N04S3-08
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPD50N04S3-08OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)190.02 Kbytes共9頁IPD50N04S3-08的PDF文件地址 IPD50N04S3-08的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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