制造商:Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:30 A
Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:45 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3
封裝:Reel
商標(biāo):Infineon Technologies
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:26 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:26 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns
典型接通延遲時(shí)間:14 ns
IPD30N06S3-24
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| IPD30N06S3-24 | OptiMOS-T Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 189.38 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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