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IPD220N06L3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:36 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:3 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:3 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns

典型接通延遲時(shí)間:9 ns

零件號(hào)別名:IPD220N06L3GBTMA1 IPD220N06L3GXT SP000453644

介紹圖IPD220N06L3G
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
IPD220N06L3GOptiMOS(TM)3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)218.66 Kbytes共9頁(yè)IPD220N06L3G的PDF文件地址 IPD220N06L3G的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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