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IPD12N03LBG
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17.7 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:52 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:2.6 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:43 S / 21 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns

典型接通延遲時(shí)間:6 ns

介紹圖IPD12N03LBG
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
IPD12N03LBGOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)417.34 Kbytes共12頁(yè)IPD12N03LBG的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB IPD12N03LBG的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
IPD12N03LBG相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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