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IPD110N12N3
規(guī)格信息：

制造廠商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]

描述:N-Channel MOSFET Transistor

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.12 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3 G	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：75A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：120V 柵源極閾值電壓：4V @ 83uA 漏源導(dǎo)通電阻：11mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	587.99 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3G	OptiMOSTM3Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	329.42 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3G	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	593.6 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3G_15	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	593.6 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	577.24 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3GATMA1	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3	Infineon Technologies	587.99 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD110N12N3GBUMA1	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3	Infineon Technologies	587.99 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
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