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IPD082N10N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.2 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:8 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:42 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:31 ns

典型接通延遲時間:18 ns

零件號別名:IPD082N10N3GBTMA1 IPD082N10N3GXT SP000485986

IPD082N10N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD082N10N3G	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	INFINEON[Infineon Technologies AG]	480.83 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD082N10N3G	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	784.37 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD082N10N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	762.17 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD082N10N3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3	Infineon Technologies	778.67 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD082N10N3GBTMA1	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3	Infineon Technologies	778.67 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買