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IPD079N06L3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:7 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:26 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:37 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:IPD079N06L3GBTMA1 IPD079N06L3GXT SP000453626

介紹圖IPD079N06L3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPD079N06L3GOptiMOS(TM)3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)220.7 Kbytes共9頁IPD079N06L3G的PDF文件地址 IPD079N06L3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD079N06L3GBTMA1MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)445.18 Kbytes共9頁IPD079N06L3GBTMA1的PDF文件地址 IPD079N06L3GBTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD079N06L3GBTMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)448.27 Kbytes共9頁IPD079N06L3GBTMA1的PDF文件地址 IPD079N06L3GBTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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