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IPD050N10N5
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：5.0m?

IDpuls max：320.0A

VDS max：100.0V

ID max：80.0 A

RthJC max：1.0 K/W

QG (typ @10V)：51.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：0.6K/W

Operating Temperature min max：-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.77

Ptot max：150.0W

Polarity：N

Qgd：10.0 nC

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：75.0K/W

Mounting：SMD

VGS(th) min max：2.2V 3.8V

VGS(th) (typ) min max：3.0 V 2.2 V 3.8 V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPD050N10N5

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD050N10N5	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.54 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD050N10N5	OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	972.73 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD050N10N5ATMA1	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	Infineon Technologies	918.69 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD050N10N5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3	Infineon Technologies	966.65 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買