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IPD036N04LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:90 A

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Rds On-漏源導通電阻:3.6 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:94 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:6 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5.4 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:37 ns

典型接通延遲時間:9.3 ns

零件號別名:IPD036N04LGBTMA1 IPD036N04LGXT SP000387945

IPD036N04LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD036N04LG	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	236.11 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD036N04LGATMA1	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31	Infineon Technologies	153.35 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD036N04LGBTMA1	MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	153.73 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD036N04LGBTMA1	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	Infineon Technologies	153.35 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD036N04LGBTMA1	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	Infineon Technologies	153.35 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買