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IPD031N03LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:90 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:3.1 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:94 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:6 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:34 ns

典型接通延遲時間:9 ns

零件號別名:IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGBTMA1 IPD031N03LGXT SP000236957

IPD031N03LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD031N03LG	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	308.88 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPD031N03LGATMA1	MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	668.20 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPD031N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	Infineon Technologies	671.27 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPD031N03LGBTMA1	MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2	Infineon Technologies	668.3 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPD031N03LGBTMA1	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	Infineon Technologies	671.27 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買