制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.1 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Qg-柵極電荷:79 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:167 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:DPAK-3
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:13 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:165 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:78 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:2500
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:64 ns
典型接通延遲時(shí)間:25 ns
零件號別名:IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GXT SP000451076