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Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：90A

Drain to Source Voltage (Vdss)：30V

FET Feature：Logic Level Gate

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：38nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3900pF @ 15V

Mounting Type：Surface Mount

Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power - Max：79W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：4 mOhm @ 30A, 10V

Supplier Device Package：PG-TO252-3

Vgs(th) (Max) @ Id：2.2V @ 250μA

包裝：3TO-252

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：30 V

最大連續(xù)漏極電流：90 A

RDS -于：4@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel