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IPD050N03LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:68 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:3.8 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:13 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:6.7 ns 1000

零件號別名:IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGBTMA1 IPD050N03LGXT SP000254716

IPD050N03LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD050N03LG	Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters	INFINEON[Infineon Technologies AG]	636.36 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LG	OptiMOS??3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1006.65 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LG_13	OptiMOS??3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1006.65 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LGATMA1	MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	1000.33 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	1000.33 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	1000.33 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPD050N03LGBTMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	1000.33 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買