制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.7 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:115 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:6.6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:96 S / 48 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:11 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:44 ns
典型接通延遲時(shí)間:14 ns
IPD04N03LAG
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| IPD04N03LAG | OptiMOS??2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 418.45 Kbytes | 共12頁(yè) | IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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