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IPD075N03LG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:47 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:2.8 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:3.6 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns

典型接通延遲時(shí)間:4.3 ns

零件號(hào)別名:IPD075N03LGBTMA1 IPD075N03LGXT SP000249747

IPD075N03LG

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LG	OptiMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	554.59 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LG	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1195.02 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LG_10	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1195.02 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LGATMA1	MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	998.28 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	998.28 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LGBTMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon Technologies	998.28 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD075N03LGBTMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31	Infineon Technologies	998.28 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)