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IPD053N06N PDF文件_規(guī)格信息

IPD053N06N
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:45 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:32 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

系列:OptiMOS 5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:38 S

下降時間:7 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:12 ns

零件號別名:IPD053N06NATMA1 IPD53N6NXT SP000962138

單位重量:4 g

IPD053N06N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD053N06N	New OptiMOSa?￠ 40V and 60V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1021.74 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06N	OptiMOSTM Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	498.6 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06N	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.26 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06N3G	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	312.25 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06N3GBTMA1	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	Infineon Technologies	615.87 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06NATMA1	MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2	Infineon Technologies	433.95 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3	Infineon Technologies	492.98 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3	Infineon Technologies	492.98 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買

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