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IPD068P03L3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

Id-連續(xù)漏極電流:- 70 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.8 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Qg-柵極電荷:68 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

商標(biāo):Infineon Technologies

配置:Single

下降時(shí)間:31 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:100 ns

系列:OptiMOS P3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:84 nS

零件號(hào)別名:IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988

介紹圖IPD068P03L3G
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPD068P03L3Gsingle P-Channel in DPAK INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)563.3 Kbytes共9頁IPD068P03L3G的PDF文件地址 IPD068P03L3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3GOptiMOSTM P3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)314.36 Kbytes共9頁IPD068P03L3G的PDF文件地址 IPD068P03L3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3G_14single P-Channel in DPAK INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)563.3 Kbytes共9頁IPD068P03L3G_14的PDF文件地址 IPD068P03L3G_14的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3GATMA1MOSFET SMALL SIGNAL+P-CHInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)498.91 Kbytes共9頁IPD068P03L3GATMA1的PDF文件地址 IPD068P03L3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)557.67 Kbytes共9頁IPD068P03L3GATMA1的PDF文件地址 IPD068P03L3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3GATMA1連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):70A 漏源電壓(Vdss):-30V 柵源極閾值電壓:2V @ 150uA 漏源導(dǎo)通電阻:6.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 類型:P溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)557.67 Kbytes共9頁IPD068P03L3GATMA1的PDF文件地址 IPD068P03L3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD068P03L3GBTMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)557.67 Kbytes共9頁IPD068P03L3GBTMA1的PDF文件地址 IPD068P03L3GBTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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