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IPD053N08N3G
規(guī)格信息：

包裝：3TO-252

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：80 V

最大連續(xù)漏極電流：90 A

RDS -于：5.3@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：18 ns

典型上升時(shí)間：66 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38 ns

典型下降時(shí)間：10 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel

IPD053N08N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3G	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	196.24 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3G	OptiMOS??3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	351.65 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3G_14	OptiMOS??3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	351.65 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	330.10 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3	Infineon Technologies	345.95 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3GATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：90A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：80V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 90uA 漏源導(dǎo)通電阻：5.3mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	345.95 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD053N08N3GBTMA1	MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3	Infineon Technologies	345.95 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買