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IPD09N03LBG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:14.2 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:58 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:3 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

典型關閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:7 ns

介紹圖IPD09N03LBG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPD09N03LBGOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)411.11 Kbytes共12頁IPD09N03LBG的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB IPD09N03LBG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD09N03LBGOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)343.23 Kbytes共12頁IPD09N03LBG的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP08CNE8N,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,BSC024N025S,IPB06N03LB IPD09N03LBG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD09N03LBG相關型號規(guī)格信息
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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