制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:73 A
Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.6 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Qg-柵極電荷:26 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:100 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:30 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:30 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:2500
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns
典型接通延遲時(shí)間:13 ns
零件號(hào)別名:IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GXT SP000474196