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IPD088N06N3
規(guī)格信息：

制造廠商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]

描述:N-Channel MOSFET Transistor

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.51 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3 G	MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	605.99 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3 G	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：50A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 34uA 漏源導(dǎo)通電阻：8.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	609.65 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3G	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	309.6 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3G	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	322.6 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3GBTMA1	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3	Infineon Technologies	609.65 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD088N06N3GBTMA1	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3	Infineon Technologies	609.65 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買