制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:67 A
Vds-漏源極擊穿電壓:85 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12.4 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3
商標(biāo):Infineon Technologies
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:8 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:21 ns
典型關(guān)閉延遲時間:32 ns
典型接通延遲時間:17 ns
IPD12CNE8NG
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| IPD12CNE8NG | OptiMOS??2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 558.34 Kbytes | 共12頁 | IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP08CNE8N,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,BSC024N025S,IPB06N03LB | 產(chǎn)品購買 | |||
| IPD12CNE8NG | OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 552.12 Kbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 |
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