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IPD135N08N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:45 A

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Rds On-漏源導通電阻:13.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:35 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:2500

商標名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:18 ns

典型接通延遲時間:12 ns

零件號別名:IPD135N08N3GBTMA1 IPD135N08N3GXT SP000454266

IPD135N08N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3G	OptiMOS3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	445.22 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3G	Ideal for high frequency switching	INFINEON[Infineon Technologies AG]	360.7 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3G_14	Ideal for high frequency switching	INFINEON[Infineon Technologies AG]	360.7 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	340.35 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 45A	Infineon Technologies	354.10 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD135N08N3GBTMA1	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3	Infineon Technologies	354.10 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買