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IPD180N10N3G
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類：MOSFET

晶體管極性：N-Channel

汲極/源極擊穿電壓：100 V

閘/源擊穿電壓：+/- 20 V

漏極連續(xù)電流：43 A

導(dǎo)通電阻：18 mOhms

配置：Single

最大工作溫度：+ 175 C

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：TO-252

封裝：Reel

商標(biāo)：Infineon Technologies

下降時間：5 ns

最小工作溫度：- 55 C

功率耗散：71 W

上升時間：12 ns

系列：IPD180N10

工廠包裝數(shù)量：2500

商標(biāo)名：OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間：19 ns

零件號別名：IPD180N10N3GBTMA1 SP000482438

ROHS：無鉛

IPD180N10N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3G	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	511.78 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	256.46 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3G_14	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	511.78 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	226.14 Kbytes	共42頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3	Infineon Technologies	506.71 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3GBTMA1	MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies	491.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD180N10N3GBTMA1	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3	Infineon Technologies	506.71 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買