| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
| IPD180N10N3 | N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | ![ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/572ISC.GIF) | 336.12 Kbytes | 共2頁 |  | |
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| IPD180N10N3 G | MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3 | Infineon Technologies |  | 491.80 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3 G | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：43A 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 33?A 漏源導通電阻：18mΩ @ 33A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 類型：N溝道 | Infineon(英飛凌) | | 506.71 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3G | N-channel, normal level | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 511.78 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3G | OptiMOSTM3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 256.46 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3G_14 | N-channel, normal level | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 511.78 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3GATMA1 | MOSFET MV POWER MOS | Infineon Technologies | | 226.14 Kbytes | 共42頁 | | |
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| IPD180N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 | Infineon Technologies | | 506.71 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3GBTMA1 | MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3 | Infineon Technologies | | 491.80 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD180N10N3GBTMA1 | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 | Infineon Technologies | | 506.71 Kbytes | 共9頁 | | |
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