制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導通電阻:14.4 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:135 W
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3
封裝:Reel
商標:Infineon Technologies
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:11 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:35 ns
系列:IPD144N06
工廠包裝數(shù)量:2500
典型關閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:11 ns
零件號別名:IPD144N06NGBTMA1
IPD144N06NG
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| IPD144N06NG | OptiMOS?? Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 380.72 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| IPD144N06NGBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Infineon Technologies | 992.71 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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