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IPD25N06S2-40
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:IPD25N06S2-40

標準包裝:2,500

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:OptiMOS??

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 13A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 26µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):513pF @ 25V

功率 - 最大值:68W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:PG-TO252-3

其它名稱:IPD25N06S240ATMA1SP000252164

介紹圖IPD25N06S2-40
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPD25N06S2-40OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)154.56 Kbytes共8頁IPD25N06S2-40的PDF文件地址 IPD25N06S2-40的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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