數(shù)據(jù)列表：IPD26N06S2L-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：OptiMOS??
包裝：帶卷（TR）
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：30A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 26µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：24nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：621pF @ 25V
功率 - 最大值：68W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
其它名稱(chēng)：IPD26N06S2L35ATMA1SP000252165